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电子元器件详细资料 » IC[18370] » FDB060AN08A0
型号:FDB060AN08A0类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)75V
电流_连续漏极(Id)0a025000C80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C6 毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs95nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds5150pF @ 25V
功率_最大255W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
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FDB060AN08A0相关型号

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